SJ 50033.74-1995 半导体分立器件.3DA325型硅微波功率晶体管详细规范
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ID： |
95DF102A2A984A15920E59962F736B9E |
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文件大小(MB)： |
0.36 |
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9 |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/74-1995,半导体分立哭件,3DA325型硅微波功率晶体管,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DA325 silicon,microwave power tansistor,1995-05-25 发布1995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DA325型硅微波功率晶体管详细规范 SJ 50033/74-1995,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DA325 silicon,microwave power tansistor,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 3DA325型硅微波功率晶体管的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33—85《半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供质量保证等级为普军、特军和,超特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587-84双极型晶体管测试方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应符合GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应符合GJB 33和本规范的规定,3.2,1 引出端材料和表面涂层,发射极和集电极引出端材料为可伐合金,基极引出端为无氧铜,引线表面镀金,中华人民共和国电子工业部1995.。5-25发布1995-12-01 实施,—1 —,SJ 50033/74-1995,3.2.2 器件结构,采用硅平面外延双极型结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB 7581中B2-O8C型及本规范规定,见图1,代号,尺 寸,最小标称最大,A — 一5 0,Z 1 5 — 3 1,Z 0.5 1.0,C 0.1 — 0 25,F 1 4 一2 0,如5.8 6 6,W1 — 一4,2,L 4 0 一,GF 3 1 —— 3 4,Q 3.0 一3.6,q — 15.0 —,5 — 20.6,5 5.8 一6 6,极性:Eー发射极B ー极基Cー集电极,图1外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.I 最大额定值,型 号,p ロ,「tot,丁『25ヒ,（W）,炉CBO,（V）,^EBO,(V),及,(A),T),(X),丁总,（V）,3DA325 8 35 3 1 2 200 -65-200,注::1）当丁じ〉25セ时,按46 2mW/C线性降额,3.3.2 主要电将性（1\ = 25じ）,2,SJ 50033/74-1995,や,んFEI ^CEwt,(V),Gp,(dB),p,(W) (%) (V/W),Ccbo,(pF),35V,/c-200mA,1b = 20mA,『じ=20OmA,yB = 28VJo=3GHz,P^IW,V优=6V,fc = lA,Vcb = 20V,最小值最大值最大值最小值最大值最大值,3DA325A,3DA325B,3DA325C,10 100 1,5,6,6,30,35,40,21.66 8 5,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 458?及本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GJB 33的规定及本规范的规定,型号标志可不限于一行内,制造厂可省略器,件上的下列标志:,a.产品保证等级;,b.制造厂厂名、代号或商标;,c.检验批识别代码;,d.器件序号,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验应符合GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检睑,鉴定检验应符合GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33的表2和本规范的规定进行,下面测试应按本规范表1进行,超过本规范表1极限值的器件应剔除,筛 选,（见GJB 33的表2）,测试或试验,3温度循环-65T50 匕;20 次,7中间电参数ICBOL 和ん FF1,8功率老化见4 3 1,9最后测试按本规范表1的A2分组,知班初始值的W0%,或。3mA,取较大值,△ん团为初始值的土20 %,4.3 I功率老化条件,功率老化条件如下:,Ptot = 6W, VCe-6V, Tc>70t 〇,一 3 一,SJ 50033/74-1995,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定进行,4.4.1 A组检験,A组检验应按GJB 33和本规慈表!的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33及本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33及本规范表3的规定进行,4.5 检验和试验方法,检验和试验方法应按本规范相应的表中规定的方法和下列规定进行:,4.5.1 脉冲测试,脉渾测试应按GJB 128中3.3.2.1条件规定,表1 A组检验,检验或试验,GB 4587,LTPD 符号,极限值,单位,方法条 件最小最大,A!分组,外观及机械检验GJB 12S,2071,5,A2分组,集电极一基板,击穿电压,发射极一基极,击穿电压,集电极一基极,截止电流,发射极一基极,藏止电流,正向电流传输比,集电极ー发射极,饱和电圧,基极ー发射极,正向电压,2 9.2」,……
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